|
本报讯 国家重大科学研究计划纳米领域项目“半导体纳米线结构调控、集成及光电器件应用基础”课题验收会议日前在京举行，由18位专家组成专家组对该项目5年来取得的成果进行检查验收，南京大学潘毅副校长和科技处李满春处长、杨永华副处长与会指导工作，项目骨干20余人列席会议。课题组长、科技部领导、重大科学研究计划专家组组长解思深院士、项目依托部门(教育部)领导、和项目承担单位领导潘毅副校长讲话。
五年来，该项目针对半导体纳米线科学领域发展的关键问题及前沿动态，以发展半导体纳米线信息光电子器件为牵引，研究半导体纳米线结构制备、生长机理、化学和物理性质，发展了以电子显微镜为代表的新的表征方法，借助于先进的微结构表征手段揭示微观结构与光电性能的关系。研究了界面、表面形态对受限体系中电子、光子行态特征的影响关系，获得纳米线的异质复合结构对光电物理过程调控的新途径。探索新的结构调控手段实现新的光电功能，发展具有重要应用价值的半导体纳米线的可控制备及其组装、集成新方法和技术，包括对结构与组分控制、掺杂与组合控制，进一步阐明合成和生长机理，获得可应用于器件和功能实现的高质量纳米线材料，为半导体纳米线新效应和器件应用研究提供基础。在器件物理上，提出半导体异质复合纳米线基光电功能器件工作模式。开展了GaAs基纳米线结构材料的分子束外延和近红外波段激光器、探测器制备研究，获得了室温发光波长0.6-1.5 μm纳米线InGaAs材料，和1.3-2.0 μm纳米线InGaAsSb材料，制备出了1.55 μm GaAs纳米线基激光器、和GaSb纳米线基双色探测器，制备出微米尺度V形槽GaAs纳米线结构。
圆满并超额完成项目的既定任务，四个课题被评审专家一致评定为优。
|
